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Unidad Estado Solido Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0

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Descripción

Unidad Estado Solido Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0

MARCA SAMSUNG
MODELO 990 EVO PLUS
NUMERO DE PARTE MZ-V9S1T0B/AM
CAPACIDAD 1 TB
INTERFAZ PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0
PCIe Gen 5.0 x2 NVMe 2.0
VELOCIDAD DE LECTURA 7150 MB/S
VELOCIDAD DE ESCRITURA 6300 MB/S
FORMATO M.2 2280
TIPO DE CHIP TIPO CHIP SAMSUNG V-NAND TLC (V8)
CARACTERISTICAS TECNICAS CONSUMO DE ENERGIA: ACTIVO (LECTURA / ESCRITURA): 4.3W / 4.2W
DATA ENCRYPTION: Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
MEMORIA CACHE: HMB (HOST MEMORY BUFFER)
DIMENSIONES DEL PRODUCTO (Ancho x Altura x Profundidad): 2.28 x 0.25 x 8.12 CM

Detalles del producto
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